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韩国现代威亚机床:助力浙江高端半导体封装测试设备核心部件制造,攻坚芯片精密封装难题

2025/09/30 | 新闻

随着半导体产业向 “微型化、高密度、高可靠性” 转型,浙江高端半导体封装测试设备产业在倒装焊设备、晶圆划片机、芯片分选机等领域快速突破,对设备的微米级定位精度、防静电性能和晶圆 / 芯片无损处理能力要求达到纳米级严苛标准。这些设备的核心性能取决于倒装焊设备焊头支架、晶圆划片机工作台、芯片分选机吸嘴座等关键部件的加工精度与材质适配性。韩国现代威亚机床凭借对微型精密结构、防静电特种材料的超精密加工能力,为浙江半导体设备企业提供 “精准定位 + 无损封装” 的加工解决方案,助力打造高性能封装测试装备,攻坚芯片精密封装难题。
 
倒装焊设备的焊头支架是 “芯片精准焊接的核心”,采用陶瓷 - 金属复合材质(氧化铝陶瓷 + 钛合金),焊头安装孔的同轴度误差需控制在 0.003mm 以内,支架表面平面度误差不超过 0.002mm,否则会导致焊头偏移、焊锡点错位,影响芯片电气连接可靠性。韩国现代威亚的超精密五轴加工中心配备纳米级刀具与激光同轴度检测系统,通过 “复合材质分层铣削 + 镜面抛光” 工艺,同轴度误差≤0.002mm,平面度误差≤0.001mm,焊头定位精度提升 40%。浙江某半导体设备企业引入该设备后,生产的倒装焊设备可适配 7nm 制程芯片封装,焊锡点直径误差从 ±5μm 降至 ±1μm,焊接良率从 97% 提升至 99.9%,连续焊接 10 万颗芯片后支架无明显变形,满足高端处理器、存储芯片的高密度封装需求。
 
晶圆划片机的工作台是 “晶圆精准切割的基础”,采用航空级铝合金一体成型,工作台表面粗糙度需控制在 Ra0.05μm 以内,晶圆吸附槽的尺寸公差不超过 0.005mm,否则会导致晶圆吸附不稳、切割偏移,造成晶圆报废。韩国现代威亚的精密研磨机床与数控铣削中心联动,通过 “超精密磨削 + 电解抛光” 工艺,表面粗糙度 Ra≤0.03μm,吸附槽尺寸误差≤0.003mm,晶圆吸附力均匀度提升 50%。浙江一家划片机企业使用该设备后,生产的晶圆划片机切割精度从 ±3μm 提升至 ±0.5μm,可切割厚度 0.1mm 的超薄晶圆,切割道宽度从 50μm 缩小至 20μm,晶圆利用率提升 15%,且工作台表面经过防静电涂层处理(表面电阻 10⁶-10⁹Ω),有效避免静电击穿晶圆电路,设备故障率下降 65%。
 
芯片分选机的吸嘴座是 “芯片无损转运的关键”,采用防静电 PPS(聚苯硫醚)材质,吸嘴安装孔的孔径公差需控制在 0.004mm 以内,座体与吸嘴的配合间隙不超过 0.002mm,否则会导致芯片吸附脱落、表面划伤,影响芯片良率。韩国现代威亚的微型精密加工中心配备高倍光学定位系统,通过 “微孔精密钻削 + 配合间隙激光校准” 工艺,孔径误差≤0.003mm,配合间隙≤0.001mm,吸嘴吸附稳定性提升 35%。浙江某分选机企业通过该技术,生产的芯片分选机可适配 0.5mm×0.5mm 的微型芯片,分选速度从 2000 颗 / 小时提升至 5000 颗 / 小时,芯片转运过程中的划伤率从 0.8% 降至 0.05%,且座体表面经过抗菌防静电双重处理,适配半导体洁净车间(Class 100)的严苛环境,满足芯片测试、分拣的高效化需求。
 
针对半导体封装测试设备 “微型化加工、防静电要求严苛” 的特点,韩国现代威亚机床在加工过程中强化部件的防静电与材质保护性能。例如,焊头支架的陶瓷 - 金属结合面采用激光焊接技术,焊缝宽度误差≤0.005mm,避免金属离子析出污染芯片;工作台的晶圆吸附槽采用光滑内壁加工,减少晶圆与槽壁的摩擦损伤;吸嘴座的微孔内壁采用等离子抛光处理,粗糙度 Ra≤0.1μm,防止芯片表面残留杂质。同时,机床的低温切削工艺避免塑料部件加工变形,吸嘴座的尺寸稳定性误差≤0.002mm,确保长期使用后仍能保持精准的吸嘴安装精度。
 
此外,韩国现代威亚机床的柔性制造单元可快速适配不同规格半导体设备的加工需求。从 8 英寸晶圆划片机到 12 英寸倒装焊设备,通过模块化夹具和智能编程系统,换产时间从 5 小时缩短至 1.5 小时,满足半导体设备企业 “多品类、定制化” 的生产需求。浙江某半导体装备集团负责人表示:“现代威亚机床让我们的封装测试设备通过了 SEMI 国际半导体设备标准认证,已为国内多家头部芯片企业供应 200 余台套设备,2024 年高端设备销量增长 85%,打破了国外设备在先进制程封装领域的垄断。”
 
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